Si-implantation activation annealing of GaN up to 1400°C
- J. C. Zolper*
- , J. Han
- , R. M. Biefeld
- , S. B. Van Deusen
- , W. R. Wampler
- , D. J. Reiger
- , S. J. Pearton
- , J. S. Williams
- , H. H. Tan
- , R. F. Karlicek
- , R. A. Stall
*Corresponding author for this work
Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
42
Citations
(Scopus)